胡晓宁

胡晓宁，女，1968年5月出生，1990年毕业于浙江大学信息与电子工程学系，1993年和2000年分别在中科院上海技术物理研究所获得硕士学位和博士学位。现任中科院上海技术物理研究所研究员。1993年半导体物理与半导体器件物理专业毕业后，一直留所工作至今，从事碲镉汞红外探测器及其焦平面器件的研制工作。
　　主要从事总装备部光电子预研、国家973、载人航天等重大项目的焦平面器件研制，涉及长线列及大面阵碲镉汞焦平面探测器的制备技术以及性能研究。研究方向为红外器件物理以及器件工艺技术。
　　曾在碲镉汞材料的组分均匀性全自动测试方法、碲镉汞微区低温光电响应光谱测量、金属－碲镉汞界面的系统研究、Si基焦平面器件芯片技术研究、、大面阵小铟柱技术以及低能等离子体干法刻蚀碲镉汞技术等方面进行了研究工作，获专利4项，部级科技进步奖二等奖1项。近几年发表论文20多篇。培养及合作培养硕士、博士研究生6名。

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