吴克辉
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吴克辉
简历：男，1973年10月生。1995年浙江大学物理系毕业。2000年在中科院物理所获得博士学位。2000年到2004年在日本东北大学金属材料研究所工作。现为中国科学院物理研究所百人计划研究员。
主要研究方向：主要研究领域为表面物理和扫描隧道显微学。利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜/高分辨电子能量损失谱（STM/AFM/HREELS）等原位表面分析方法，研究表面吸附、生长动力学、单分子物理化学、以及纳米尺度的量子现象。
过去的主要工作及获得的成果：
（1）碱金属在Si表面吸附问题的研究。从实验和理论上纠正了过去的“悬挂键吸附”的不完整模型，给出了一个完整的从二维原子气到幻数团簇的全新物理模型。
（2）对GaN（0001）表面的再构及GaN/金属界面的结构的研究，发展出一种高速沉积外延Ag膜的方法，实现了理想的界面结构。
（3）量子效应在低维金属薄膜系统中的表现。发现量子效应导致的一种新的Al的同素异形体－自组织超晶格Al薄膜，实现了Si表面上完美的单原子层Al膜，揭示了系统中稳定性，金属－半导体想变等现象和机理。
在SCI收录的杂志上发表第一作者论文十余篇（包括PRL，PRB，APL等）。
目前的研究课题及展望：目前主持的研究项目有中科院百人计划研究课题和自然科学基金面上项目（《并五苯与固体表面的作用》）一项。将来的主要发展方向为：
（1）低维系统中的各种新奇量子现象。
（2）单分子物理化学。
